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让QLC闪存拥有SLC性能?X-NAND技术专利已获批准
发布时间:2024-09-05点击数:

  在SSD固态硬盘高速发展的过去十年,固态硬盘硬盘的读写速度、价格和性价比都变得越来越高。得益于技术的不断进步,固态硬盘的闪存类型从1bit的SLC发展到2bit的MLC、3bit的TLC和、4-bit的QLC,下一代QY千亿球友会app5bit的PLC也已经在开发当中。

  虽然SLC类型的NAND闪存拥有的不俗的速度和最优秀的耐用性,但较低的数据密度和高企的制造成本,让它不适合民用市场。TLC和QLC闪存虽然寿命和性能略差,但DRAM和SLC缓存策略下,让它们成为消费市场的最大赢家。

  在2020年的闪存峰会上,成立于2012年的闪存设计与半导体初创企业NeoSemiconductor就披露了X-NAND,宣称能够为闪存技术带来更高的性能与成本效益。与该技术相关的两项关键专利在本月得到正式授予。随着X-NAND技术的问世,固态硬盘产品的发展趋势将得到延续。

  X-NAND的特点是在单个封装中结合SLCNAND的性能优势以及多bit的存储密度。与传统方案相比,X-NAND可将闪存芯片的缓冲区大小减少多达94%,使制造商能够将每个芯片的平面数量从2-4个大幅增加到16-64个。NAND芯片在该技术下可实现更高的读取和写入并行性能,进而提升SLCNAND的性能。X-NAND理论上可将顺序读取速率提升至QLC的27倍、将顺序写入速率提升15倍,同时将随机读写性能提升3倍。

  同时得益于NAND芯片的更小、更低功耗,X-NAND技术产品的制造成本可控制到QLC级别。耐用性方面,NeoSemiconductor声称比传统TLC/QLC闪存好一些,但有多大的改善目前不得而知。

  编辑点评:对于4bit位的QLC产品来时,它的出现可能会扮演“救星”的作用,当下的QLC产品普遍存在连续读写性能差的问题,大文件读写时掉速、响应速度慢,而且耐用性不如TLC产品。X-NAND如果能够为QLC闪存提供稳定的性能和耐用性,相信各大闪存制造商都会十分关注